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产品型号 | AO4441 | 品牌 | AOS | 封装 | SOP-8 | 价格 | 电询 | 描述 | 4A60V N沟道场效应管 | 查看资料 | AO4441 | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A 漏源电压(Vdss) 60V 栅源极阈值电压 3V @ 250uA 漏源导通电阻 100 mΩ @ 4A,10V 类型 P 沟道 最大功率耗散(Ta) 3.1W 查看类似商品 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1120pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC
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