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产品型号 | AO7600 | 品牌 | AOS | 封装 | SOT-363 | 价格 | 电询 | 描述 | AOS系列场效应管 | 查看资料 | AO7600 | |
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产品说明
AO7600的参数: 类别:分离式半导体产品 家庭:FET - 阵列 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:900mA, 600mA 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 900mA, 4.5V Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250?A 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.9nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:120pF @ 10V 功率 - 最大:300mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP, SC-88, SOT-363 包装:带卷 (TR) 场效应管主要参数: 直流参数: 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。 交流参数: 低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 极限参数: 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。
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