属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 15A
栅源极阈值电压 3.5V @ 250uA
漏源导通电阻 6mΩ @ 20A,20V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 P沟道
查看类似商品 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5300pF @ 15V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)