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AOD444
产品型号AOD444
品牌AOS
封装TO-252
价格电询
描述N沟道场效应管60V,12A,85mΩ
查看资料AOD444

产品说明



属性 参数值


商品目录 MOS(场效应管)


漏源电压(Vdss) 60V


连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A


栅源极阈值电压 3V @ 250uA


漏源导通电阻 60mΩ @ 12A,10V


最大功率耗散(Ta=25°C) 2.1W


类型 N沟道


查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物


FET 功能:标准


漏源极电压(Vdss):60V


电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),12A(Tc)


不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V


不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA


不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V


不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V


功率 - 最大值:2.1W


工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)


安装类型:表面贴装


封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63


供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

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