属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 60mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.1W
类型 N沟道
查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),12A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 30V
功率 - 最大值:2.1W
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)