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| 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN | | 型号 JW5068AQFNF#TRPBF | | 型号 JW5068A |
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产品型号 | BT131-600S | 品牌 | HTC | 封装 | SOT-89 | 价格 | 电询 | 描述 | 1A600V双向可控硅 | 查看资料 | BT131-600S | |
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产品说明
BT131-600S 双向可控硅 ●产品特点 NPNPN五层结构的硅双向器件;P型对通扩散隔离; 台面玻璃钝化工艺;背面多层金属电极 ●主要用途 加热控制器;调光、调速控制器;彩灯控制器; 电风扇、搅拌机、果汁机等家用电器; ●封装形式 SOT-89-3L ●主要参数(Tj=25℃) 符号 项目 数值 单位 IT(RMS) 通态平均电流 1 A VDRM/VRRM 断态/反向重复值电压 ≥600 V ITSM 通态不重复浪涌电流 10 A ●极限参数 符号 参数和条件 数值 单位 IT(RMS) 通态平均电流Tlead≤51℃ 1 A VDRM/ VRRM 断态重复值电压 Tj=25℃/ 反向重复值电压 Tj=25℃ BT131-600 600 V ITSM 通态不重复浪涌电流Tj=25℃, 完全正弦波 tp=20ms 10 A tp=16.7ms 11 I2t I2t值 (tp=10ms) 1.28 A2S IGM 控制极峰值耗散电流 2 A VGM 控制极峰值耗散电压 5 V PGM 控制极峰值耗散功率 5 W PG(AV) 控制极平均耗散功率 0.5 W dIT/dt 通态电流临界上升率 (ITM=1.5A, ,IG=0.2A, d IG /dt=0.2A/μs) T2+ G+ 50 A/μs T2+ G- 50 T2- G- 50 T2- G+ 10 Tstg Tj 贮存温度 操作结口温度 -40--+150 -40--+110 ℃
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