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型号
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D1138
产品型号D1138
品牌HITACHI
封装TO-220
价格电询
描述NPN低频高压三极管
查看资料D1138

产品说明


绝对最大额定值(Ta = 25°C)
项目符号评级单位
集电极基极电压VCBO 200 V.
集电极到发射极电压VCEO 150 V.
发射极到基极电压VEBO 6 V.
集电极电流IC 2 A.
集电极峰值电流IC(峰值)5 A.
集电极功耗为1.8 W
PC * 1 30 W
结温Tj 150°C
储存温度Tstg -45至+ 150°C

项目符号最小值典型最大单位测试条件
集电极到发射极击穿
电压
V(BR)CEO 150 - - V IC = 50 mA,RBE =¥
发射器基本击穿
电压
V(BR)EBO 6 - - V IE
= 5 mA,IC = 0
集电极截止电流ICBO - - 1 mA VCB = 120 V,IE = 0
直流电流传输比hFE1 * 1 60 - 320 VCE = 4 V,IC = 50 mA
hFE2 60 - - VCE = 10 V,IC = 500 mA * 2
收集器到发射器饱和度
电压
VCE(sat) - - 3.0 V IC = 500 mA,IB = 50 mA * 2
基极到发射极电压VBE - - 1.0 V VCB = 4 V,IC = 50 mA
集电极输出电容Cob - 20 - pF VCB = 100 V,IE = 0,f = 1 MHz

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