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产品型号 | D1138 | 品牌 | HITACHI | 封装 | TO-220 | 价格 | 电询 | 描述 | NPN低频高压三极管 | 查看资料 | D1138 | |
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产品说明
绝对最大额定值(Ta = 25°C) 项目符号评级单位 集电极基极电压VCBO 200 V. 集电极到发射极电压VCEO 150 V. 发射极到基极电压VEBO 6 V. 集电极电流IC 2 A. 集电极峰值电流IC(峰值)5 A. 集电极功耗为1.8 W PC * 1 30 W 结温Tj 150°C 储存温度Tstg -45至+ 150°C
项目符号最小值典型最大单位测试条件 集电极到发射极击穿 电压 V(BR)CEO 150 - - V IC = 50 mA,RBE =¥ 发射器基本击穿 电压 V(BR)EBO 6 - - V IE = 5 mA,IC = 0 集电极截止电流ICBO - - 1 mA VCB = 120 V,IE = 0 直流电流传输比hFE1 * 1 60 - 320 VCE = 4 V,IC = 50 mA hFE2 60 - - VCE = 10 V,IC = 500 mA * 2 收集器到发射器饱和度 电压 VCE(sat) - - 3.0 V IC = 500 mA,IB = 50 mA * 2 基极到发射极电压VBE - - 1.0 V VCB = 4 V,IC = 50 mA 集电极输出电容Cob - 20 - pF VCB = 100 V,IE = 0,f = 1 MHz
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