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产品型号 | FDA59N30 | 品牌 | ON/Fairchild | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管59A,300V | 查看资料 | FDA59N30 | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 59 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Qg-栅极电荷: 100 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
系列: FDA59N30
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
下降时间: 200 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 575 ns
工厂包装数量: 450
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