FDC645N此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性
5.5 A，30 V。
RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V
高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
低栅极电荷（典型值13nC）
高功率和高电流处理能力
应用

造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDC645N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.6 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 33 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 3000