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FF100R12KS4
产品型号FF100R12KS4
品牌infineon
封装模块
价格电询
描述IGBT模块
查看资料FF100R12KS4

产品说明


FF100R12KS4参数:100A,1200V,IGBT模块
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 780 W
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Screw
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF100R12KS4HOSA1 SP000100705
单位重量: 340 g

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