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产品型号 | FF450R12KT4 | 品牌 | infineon | 封装 | DIP模块 | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT模块450A,1200V, | 查看资料 | FF450R12KT4 | |
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产品说明
FF450R12KT4参数:450A,1200V,IGBT模块 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 详细信息 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 在25 C的连续集电极电流: 580 A 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 2400 W 封装 / 箱体: 62 mm 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 封装: Tray 高度: 30.5 mm 长度: 106.4 mm 宽度: 61.4 mm 商标: Infineon Technologies 安装风格: Chassis Mount CNHTS: 8541290000 HTS Code: 8541290095 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 产品类型: IGBT Modules 工厂包装数量: 10 子类别: IGBTs 零件号别名: FF450R12KT4HOSA1 SP000370613 单位重量: 340 g
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