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产品型号 | FGH60N60SFD | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-247 | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT带阻尼 | 查看资料 | FGH60N60SFD | |
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产品说明
FGH60N60SFD 600V, 60A Field S top IGBT,低饱和电压Low saturation voltage: 2.3V 制造商: ON Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术: Si 封装 / 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 2.2 V 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 在25 C的连续集电极电流: 120 A Pd-功率耗散: 378 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 系列: FGH60N60SF_F085 封装: Tube 集电极最大连续电流 Ic: 60 A 商标: ON Semiconductor / Fairchild 栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA 工厂包装数量: 450 零件号别名: FGH60N60SFDTU_F085 单位重量: 6.390 g
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