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产品型号 | FQA24N50 | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管24A500V | 查看资料 | FQA24N50 | |
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产品说明
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 24 A Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最大工作温度: + 150 C 技术: Si 封装: Tube 通道模式: Enhancement 商标: Fairchild Semiconductor 配置: Single 下降时间: 155 ns 正向跨导 - 最小值: 22 S 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 290 W 上升时间: 250 ns 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 200 ns 典型接通延迟时间: 80 ns 零件号别名: FQA24N50_NL 单位重量: 6.401 g
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