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FQA9N90C
产品型号FQA9N90C
品牌FAIRCHILD
封装TO-3P
价格电询
描述N沟道场效应管
查看资料FQA9N90C

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 5 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 9.2 S
下降时间: 75 ns
上升时间: 120 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
零件号别名: FQA9N90C_NL
单位重量: 5.600 mg

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