FQP18N50V2/FQPF18N50V2 500V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对以最大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了高能量脉冲，雪崩和换向模式。
这些器件适合高效率开关模式电源，有源功率因数校正，电子灯镇流器基于半桥拓扑。
产品特点
18A，500V，RDS（ON）=0.265Ω@ VGS=10 V
低栅极电荷（典型42 nC的）
低反向传输电容（典型11 pF的）
快速开关
100％雪崩测试
改进的dv / dt能力