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产品型号 | FQPF18N50 | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | FQPF18N50 | |
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产品说明
FQP18N50V2/FQPF18N50V2 500V N沟道MOSFET 概述 这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的,平面条形,DMOS技术。 这种先进的技术已特别针对以最大限度地减少通态电阻,提供出色的开关性能,经受住了高能量脉冲,雪崩和换向模式。 这些器件适合高效率开关模式电源,有源功率因数校正,电子灯镇流器基于半桥拓扑。 产品特点 18A,500V,RDS(ON)=0.265Ω@ VGS=10 V 低栅极电荷(典型42 nC的) 低反向传输电容(典型11 pF的) 快速开关 100%雪崩测试 改进的dv / dt能力
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