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FQPF47P06
产品型号FQPF47P06
品牌Fairchild
封装TO-220F
价格电询
描述P沟道场效应管
查看资料FQPF47P06

产品说明


产品种类: MOSFET
制造商: ON Semiconductor
RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Id-连续漏极电流: - 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 195 ns
正向跨导 - 最小值: 19 S
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
Pd-功率耗散: 62 W
上升时间: 450 ns
系列: FQPF47P06
工厂包装数量: 50
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
宽度: 4.9 mm
零件号别名: FQPF47P06_NL
单位重量: 2.270 g

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