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产品型号 | FQPF47P06 | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管 | 查看资料 | FQPF47P06 | |
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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: ON Semiconductor RoHS: RoHS 合规性豁免 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 60 V Id-连续漏极电流: - 30 A Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 25 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: QFET 封装: Tube 商标: ON Semiconductor / Fairchild 下降时间: 195 ns 正向跨导 - 最小值: 19 S 高度: 16.07 mm 长度: 10.36 mm Pd-功率耗散: 62 W 上升时间: 450 ns 系列: FQPF47P06 工厂包装数量: 50 晶体管类型: 1 P-Channel 类型: MOSFET 典型关闭延迟时间: 100 ns 典型接通延迟时间: 50 ns 宽度: 4.9 mm 零件号别名: FQPF47P06_NL 单位重量: 2.270 g
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