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产品型号 | IR2101STR | 品牌 | IR | 封装 | SOP-8 | 价格 | 电询 | 描述 | 半全桥驱动 | 查看资料 | IR2101STR | |
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产品说明
制造商: Infineon 产品种类: 门驱动器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 产品: MOSFET Gate Drivers 激励器数量: 2 Driver 输出电流: 360 mA 配置: Non-Inverting 上升时间: 100 ns 下降时间: 50 ns 电源电压-最大: 20 V 电源电压-最小: 10 V 传播延迟—最大值: 220 ns 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 类型: High Side/Low Side 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 特点: Independent 高度: 1.5 mm (Max) 长度: 5 mm (Max) 输出端数量: 2 Output 工作温度范围: - 40 C to + 125 C 输出电压: 10 V to 20 V 宽度: 4 mm (Max) 商标: Infineon Technologies 逻辑类型: CMOS, TTL 最大关闭延迟时间: 220 ns 最大开启延迟时间: 220 ns 湿度敏感性: Yes 工作电源电流: 30 uA 工作电源电压: 15 V Pd-功率耗散: 0.625 W 工厂包装数量: 2500 零件号别名: SP001547610 单位重量: 540 mg
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | IRFP4768 | IR | TO-247AC | N沟道场效应管93A,250V,14.5mO,520w |  |  |  | | IRFP4768PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管 |  |  |  | | RUH1H80R | Ruichip | TO-220 | 完全与IRL2910兼容 N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A |  |  |  | | IRF1404PBF | IR | TO-220 | 162A40V场效应管 |  |  |  | | IRF1404PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管162A40V |  |  |  | | IRF1404 | IR | TO-220AB | N沟道场效应管162A40V |  |  |  | | IR2101S | IR | SOP-8 | 门驱动器集成电路 |  |  |  | | IR2101STR | IR | SOP-8 | 半全桥驱动 |  |  |  | | IR2101STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 |  |  |  | | IRFP4568PBF | IR | TO-247AC | N沟道场效应管171A150V |  |  |  | | IRFP4568 | IR | TO-247 | N沟道场效应管150V,4.8mO,171A,517W |  |  |  | | HS0038BD | VISHAY | DIP-3 | IR接收器模块 红外线接收器 |  |  |  | | IRFB3077PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管75V,2.8mO,210A,370W |  |  |  | | IRFB3077 | IR | TO-220 | N沟道场效应管210A75V |  |  |  | | IRFB3077PBF | IR | TO-220AB | N沟道场效应管210A75V |  |  |  | | IRFP4110 | IR | TO-247 | N沟道场效应管 |  |  |  | | IRFP4110PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W |  |  |  | | IRFP064NPBF | IR | TO-247AC | 场效应管55V,8mO,98A,150W |  |  |  | | IRFP064NPBF | IR | TO-247 | MOSFET 场效应管55V,8mO,98A,150W |  |  |  | | IRFP064N | IR | TO-247AC | N沟道场效应管55V,8mO,98A,150W |  |  |  | |
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