最新更新
LASTER PRODUCTS
 | 型号
D050505S-1WR3 |  | 型号
ADM2483BRWZ |  | 型号
ADM2483BRWZ-REEL |  | 型号
WGP8N60 |  | 型号
WGF8N60 |  | 型号
SQ9910SMST |  | 型号
SQ9910 |  | 型号
XL4301E1 |
|
|
 |
| 产品型号 | IRFB3077 | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管210A75V | | 查看资料 | IRFB3077 | |
|
产品说明
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 210 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
Pd-功率耗散: 370 W
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
|
类似IRFB3077产品
| 下一页 尾页 页码：1/10 | | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | | IRFP4768 | IR | TO-247AC | N沟道场效应管93A,250V,14.5mO,520w |  |  |  | | | IRFP4768PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管 | | | | | | RUH1H80R | Ruichip | TO-220 | 完全与IRL2910兼容 N沟道高功率MOSFET场效应管100V80A | | | | | | IRF1404PBF | IR | TO-220 | 162A40V场效应管 | | | | | | IRF1404PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管162A40V | | | | | | IRF1404 | IR | TO-220AB | N沟道场效应管162A40V | | | | | | IR2101S | IR | SOP-8 | 门驱动器集成电路 | | | | | | IR2101STR | IR | SOP-8 | 半全桥驱动 | | | | | | IR2101STRPBF | IR | SOP-8 | 桥式驱动芯片 | | | | | | IRFP4568PBF | IR | TO-247AC | N沟道场效应管171A150V | | | | | | IRFP4568 | IR | TO-247 | N沟道场效应管150V,4.8mO,171A,517W | | | | | | HS0038BD | VISHAY | DIP-3 | IR接收器模块 红外线接收器 | | | | | | IRFB3077PBF | IR | TO-220 | N沟道场效应管75V,2.8mO,210A,370W | | | | | | IRFB3077 | IR | TO-220 | N沟道场效应管210A75V | | | | | | IRFB3077PBF | IR | TO-220AB | N沟道场效应管210A75V | | | | | | IRFP4110 | IR | TO-247 | N沟道场效应管 | | | | | | IRFP4110PBF | IR | TO-247 | N沟道场效应管100V,3.7mO,180A,370W | | | | | | IRFP064NPBF | IR | TO-247AC | 场效应管55V,8mO,98A,150W | | | | | | IRFP064NPBF | IR | TO-247 | MOSFET 场效应管55V,8mO,98A,150W | | | | | | IRFP064N | IR | TO-247AC | N沟道场效应管55V,8mO,98A,150W | | | | |
|
粤公网安备 44030402002388号