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| 产品型号 | IRFB3077 | | 品牌 | IR | | 封装 | TO-220 | | 价格 | 电询 | | 描述 | N沟道场效应管210A75V | | 查看资料 | IRFB3077 | |
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产品说明
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 210 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 160 nC
Pd-功率耗散: 370 W
封装: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 1000
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