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产品型号 | K25T120 | 品牌 | Infineon | 封装 | TO-247 | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT管晶体管25A1200V | 查看资料 | K25T120 | |
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产品说明
产品种类: IGBT 晶体管 制造商: Infineon RoHS: 符合RoHS 详细信息 封装 / 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 1.7 V 栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 在25 C的连续集电极电流: 50 A Pd-功率耗散: 190 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 系列: TRENCHSTOP 封装: Tube 商标: Infineon Technologies 栅极—射极漏泄电流: 600 nA 高度: 21 mm 长度: 15.8 mm 工厂包装数量: 240 技术: Si 商标名: TRENCHSTOP 宽度: 5 mm 零件号别名: IKW25T120FKSA1 IKW25T120XK SP000013939 单位重量: 38 g
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下一页 尾页 页码:1/10 | 产品型号 | 厂商 | 封装 | 简要描述 | 图片 | 资料 | 订购 | 2SK2225-E | RENESAS | TO-3P | N沟道场效应管1500V,2A | | | | | HK23F-DC24V-SHG | HKE | DIP6 | 继电器 | | | | | 2SK2698 | TOSHIBA | TO-3P | 场效应管500V,350mO,15A,150W | | | | | K2698 | TOSHIBA | TO-3P | N沟道场效应管500V,350mO,15A,150W | | | | | MT41K256M16TW-107AAT:PTR | MICRON镁光 | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | EEVFK2A680Q | Panasonic松下 | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | PIC18F67K22-I/PT | Microchip | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | PIC18F67K22-I/PT | Microchip | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | MT41K256M16TW-107:P | MICRON | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | 2SK208-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | 2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | 2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | SMD | 热销全新原装正品电子芯片 | | | | | 0.22UF-224K275V-P22.5mm | UTX | DIP2(25*14.5*6) | X2安规电容L=28mm精度10% | | | | | 0.22UF-224K275V-P15mm | UTX | DIP2(17*14*6) | X2安规电容L=15mm精度10% | | | | | SCK20100 | 台湾兴勤TKS | DIP-2 | 负温热敏电阻 | | | | | SCK20100MSBY | 台湾兴勤TKS | DIP-2 | 负温热敏电阻 | | | | | K2611(9A/900V) | TOSHIBA | TO-3P | N沟道场效应管 | | | | | 2SK2611 | TOSHIBA | TO-3P | 场效应管参数:9A,900V | | | | | 2SK2611(9A/900V) | TOSHIBA | TO-3P | N沟道场效应管 | | | | | K2611 | TOSHIBA | TO-3P | N沟道场效应管 | | | | |
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