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描述
20A 60V N沟道增强模式功率MOSFET
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产品说明
描述
NCE2060K使用先进的沟槽技术，设计可提供低栅极电荷的出色RDS（ON）。 它可用于多种应用。
一般特征
●VDS = 20V，ID = 60A
RDS（ON）<6mΩ@ VGS = 4.5V
●高密度电池设计，超低Rdson
●全面表征雪崩电压和电流
●高EAS的稳定性和均匀性
●出色的封装，散热效果好
应用
●负载切换
●硬开关和高频电路
●不间断电源
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