制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 8.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.5 mm
长度: 5 mm
系列: NTMS10P02
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4 mm
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 30 S
下降时间: 110 ns, 125 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns, 100 ns
工厂包装数量: 2500