PS07N06F参数：7A,600V,N沟道场效应管
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 147 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4.7 mm
正向跨导 - 最小值: 8.2 S
下降时间: 85 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 80 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 125 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 1.438 g