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SI2300DS-T1-GE3
产品型号SI2300DS-T1-GE3
品牌VISHAY
封装SOT23-3L
价格电询
描述N沟道场效应管3.6A30V
查看资料SI2300DS-T1-GE3

产品说明


属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.6A
漏源电压(Vdss) 30V
栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻 68 mΩ @ 2.9A,4.5V
类型 N 沟道
最大功率耗散(Ta) 1.1W
查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 15V
功率 - 最大值:1.7W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
VRB2424S-10WR3MORNSUN金升阳SIPDC/DC隔离宽电压输入电源(1-1300W)SIP(1-10W)VRB2424S-10WR3VRB2424S-10WR3
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