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| 型号 OH3144 | | 型号 OH44E | | 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN |
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产品型号 | SI2300DS-T1-GE3 | 品牌 | VISHAY | 封装 | SOT23-3L | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管3.6A30V | 查看资料 | SI2300DS-T1-GE3 | |
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产品说明
属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3.6A 漏源电压(Vdss) 30V 栅源极阈值电压 1.5V @ 250uA 漏源导通电阻 68 mΩ @ 2.9A,4.5V 类型 N 沟道 最大功率耗散(Ta) 1.1W 查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 2.9A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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