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| 型号 OH3144 | | 型号 OH44E | | 型号 XL1509-12E1 | | 型号 B0509S-3WR2 | | 型号 B1212S-3WR2 | | 型号 B0505S-3WR2 | | 型号 MBRD20200CT | | 型号 MCP2562T-E/SN |
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产品型号 | SI2303CDS-T1-GE | 品牌 | VISHAY | 封装 | SOT-23 | 价格 | 电询 | 描述 | P沟道场效应管,-30V,-2.7A,190mΩ@-10V | 查看资料 | SI2303CDS-T1-GE | |
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产品说明
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 1.9A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):155pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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