FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1090pF @ 10V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）