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产品型号
SI2323CDS-T1-GE3
品牌
VISHAY
封装
SOT-23
价格
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描述
P沟道场效应管20V,-6A,39mΩ@-4.5V
查看资料
SI2323CDS-T1-GE3
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产品说明
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):39 毫欧 @ 4.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1090pF @ 10V
功率 - 最大值:2.5W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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