你好,欢迎您咨询订购! 联系电话☎:0755-88601081
首页
产品分类
公司联系方式
销售电话0755-88601081
手机热线13480836474
传真0755-88601081
联系QQ(592755649)
淘宝联系icdemi
联系QQ(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

型号
XL1509-12E1
型号
B0509S-3WR2
型号
B1212S-3WR2
型号
B0505S-3WR2
型号
MBRD20200CT
型号
MCP2562T-E/SN
型号
JW5068AQFNF#TRPBF
型号
JW5068A
 
SKY58254-11
产品型号SKY58254-11
品牌Skyworks
封装3.0 mm x 5.0 mm x 0.7 mm (Max.) 30-pad
价格电询
描述用于LTE和NR频段的前端模块
查看资料SKY58254-11

产品说明




SKY58254-11


用于LTE和NR的前端模块


SKY58254-11是我们Sky5 5G技术产品组合中的最新产品。封装在一个单一的3.0毫米x 5.0毫米x 0.7毫米(最大)的形式因素,这个多功能和完全匹配的前端模块(FEM)支持波段41 5G和NR应用。30焊盘表面安装(SMT)模块由PA模块、与50欧姆匹配的输入/输出阻抗、MIPI标准数字控制模块、单端滤波器、Tx-Rx开关和正向/反向耦合器组成。


SKY58254-11利用增强的体系结构,覆盖全频段41,并满足CP-OFDM和DFTS-OFDM调制的频谱线性要求,带宽高达100 MHz,资源块分配高达273。输出功率通过改变输入功率和调整VCC来控制,从而最大限度地提高效率。极低的泄漏电流使手机待机时间最大化


与销售人员交谈


产品文档


产品概要


SKY5®-8254-11用于LTE和NR的前端模块


特征


全基带不可知设计


无DPD的全功率APT支持


HB S-PAD覆盖带n41


MIPI®v2.1兼容的52 MHz RFFE总线


高性能ET/APT PA核


带内部直流阻断的50欧姆输入/输出阻抗


通过RFFE接口的连续偏置控制


断电模式下的低泄漏电流


集成收发开关


小巧、轻巧的包装


3.0毫米x 5.0毫米x 0.7毫米(最大值)


30焊盘表面安装(SMT)配置


规格


用于LTE和NR的前端模块


SMT,30焊盘


3.0毫米x 5.0毫米x 0.7


产品媒体


Sky5®完整视频演示:Sky5®-8254


应用


5G新收音机


智能手机




类似SKY58254-11产品

 下一页 尾页 页码:1/10
产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
SKiiP11NAB126V1SEMIKRONDIP三相整流桥模块SKiiP11NAB126V1
2SK2225-ERENESASTO-3PN沟道场效应管1500V,2A2SK2225-E
2SK3483TYTO-252N沟道MOS场效应晶体管28A100V2SK3483
2SK3483-Z-E1-AZRenesasTO-252N沟道MOS场效应晶体管2SK3483-Z-E1-AZ
2SK3483-ZRenesasTO-252N沟道MOS场效应晶体管2SK3483-Z
SKKT162/12ESEMIKRONDIP模块160A可控硅模块SKKT162/12E
2SK3878TOSHIBATO-3PN沟道场效应管9A,900V2SK3878
SKIIP-12NAB126V1SEMIKRON模块三相桥模块SKIIP-12NAB126V1
SKiiP12NAB126V1SEMIKRONDIP三相整流桥模块SKiiP12NAB126V1
2SK2698TOSHIBATO-3P场效应管500V,350mO,15A,150W2SK2698
SKKT330/16ESEMIKRONDIP可控硅模块SKKT330/16E
2SK208-Y(TE85L,F)TOSHIBASMD热销全新原装正品电子芯片2SK208-Y(TE85L,F)2SK208-Y(TE85L,F)
2SK208-GR(TE85L,F)TOSHIBASMD热销全新原装正品电子芯片2SK208-GR(TE85L,F)2SK208-GR(TE85L,F)
2SK209-GR(TE85L,F)TOSHIBASMD热销全新原装正品电子芯片2SK209-GR(TE85L,F)2SK209-GR(TE85L,F)
NX5032GA-8MHZ-STD-CSK-3NDKSMD热销全新原装正品电子芯片NX5032GA-8MHZ-STD-CSK-3NX5032GA-8MHZ-STD-CSK-3
SKKH106/16ESEMIKRONDIP可控硅模块SKKH106/16E
SK54BL_R1_00001PANJIT强茂SMBSMB封装5A40V肖特基二极管SK54BL_R1_00001
2SK1940-01FUJITO-3P三极管12A600V2SK1940-01
2SK1940FUJITO-3PN沟道场效应管12A600V2SK1940
SKKH162/16ESEMIKRONDIP可控硅模块SKKH162/16E
元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

深圳市通络科技电子有限公司 版权所有◎Copyright 2020
地址:广东省深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座14L室

电话TEL(传真FAX):0755-88601081,邮件Email:icdemi@icdemi.com,

 粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002388号