属性 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 24.3A
栅源极阈值电压 3.9V @ 1.2mA
漏源导通电阻 160mΩ @ 15.4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 240W
类型 N沟道
查看类似商品 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24.3A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 15.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 25V
功率 - 最大值:240W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3