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产品型号 | SSM3K36FS | 品牌 | TOSHIBA | 封装 | SOT-416-3 | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管MOSFET | 查看资料 | SSM3K36FS | |
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产品说明
产品种类: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-416-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 500 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.52 Ohms Vgs th-栅源极阈值电压: 350 mV Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Qg-栅极电荷: 1.23 nC 最大工作温度: + 150 C 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Reel 封装: MouseReel 封装: Cut Tape 商标: Toshiba 高度: 0.7 mm 长度: 1.6 mm Pd-功率耗散: 150 mW 系列: SSM3K36 工厂包装数量: 3000 宽度: 0.8 mm 单位重量: 6 mg
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