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| 型号 HY301A | | 型号 XL4015E1 | | 型号 WRB1209S-3WR2 | | 型号 WRB1205S-3WR2 | | 型号 WRB1212S-3WR2 | | 型号 ACS712ELCTR-20A-T | | 型号 ACS712ELC-20A | | 型号 LD20-23B03R2 |
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产品说明
制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 24 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 175 C 配置: Single Pd-功率耗散: 70 W 通道模式: Enhancement 封装: Cut Tape 封装: Reel 高度: 2.4 mm 长度: 6.6 mm 系列: STD70NH02L 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 6.2 mm 商标: STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值: 27 S 下降时间: 25 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 200 ns 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 18 ns 典型接通延迟时间: 12 ns 单位重量: 4 g
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