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产品型号 | STGW39NC60VD | 品牌 | ST | 封装 | TO-247 | 价格 | 电询 | 描述 | IGBT管40A600V | 查看资料 | STGW39NC60VD | |
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产品说明
产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术: Si 封装 / 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.8 V/1.7 V 栅极/发射极最大电压: 20 V Pd-功率耗散: 250 W 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 系列: STGW39NC60VD 封装: Tube 集电极最大连续电流 Ic: 80 A 高度: 20.15 mm 长度: 15.75 mm 宽度: 5.15 mm 商标: STMicroelectronics 集电极连续电流: 70 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA 产品类型: IGBT Transistors 工厂包装数量: 600
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