产品说明
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 160 S
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 310 W
上升时间: 140 ns
系列: STB140N75
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 1.438 g