STW55NM60ND参数：55A,600V,N沟道场效应管MOSFETS
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 51 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 96 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 350 W
上升时间: 68 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 188 ns
典型接通延迟时间: 33 ns