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Si7288DP
产品型号Si7288DP
品牌VISHAY
封装PowerPAK-SO-8
价格电询
描述20A40V双N沟道场效应管
查看资料Si7288DP
购买Si7288DP

产品说明


制造商: Vishay 

产品种类: MOSFET 

RoHS: 详细信息 

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8 

晶体管极性: N-Channel 

通道数量: 2 Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 40 V 

Id-连续漏极电流: 20 A 

Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V 

Qg-栅极电荷: 15 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 15.6 W 

通道模式: Enhancement 

商标名: TrenchFET 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

配置: Dual 

系列: SI7 

晶体管类型: 2 N-Channel 

商标: Vishay Semiconductors 

正向跨导 - 最小值: 39 S 

下降时间: 8 ns 

产品类型: MOSFET 

上升时间: 8 ns 

工厂包装数量: 3000

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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
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