Si7288DP VISHAY 20A40V双N沟道场效应管

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Si7288DP

产品型号	Si7288DP
品牌	VISHAY
封装	PowerPAK-SO-8
价格	电询
描述	20A40V双N沟道场效应管
查看资料	Si7288DP
购买Si7288DP

产品说明

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 15.6 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

系列: SI7

晶体管类型: 2 N-Channel

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 39 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

工厂包装数量: 3000

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