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产品型号 | TLP521-1GB | 品牌 | TOSHIBA | 封装 | DIP4 | 价格 | 电询 | 描述 | 光电耦合器 | 查看资料 | TLP521-1GB | |
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产品说明
TLP521-1GB参数描述:光耦合器砷化镓IRED和光电晶体管Photocoupler GaAs Ired & Photo-Transistor 制造商: Toshiba 产品种类: 晶体管输出光电耦合器 封装 / 箱体: DIP-4 输出类型: NPN Phototransistor 通道数量: 1 Channel If - 正向电流: 16 mA 最大集电极/发射极电压: 55 V 最大集电极电流: 10 mA 绝缘电压: 2500 Vrms 最大集电极/发射极饱和电压: 0.4 V Vf - 正向电压: 1.3 V Vr - 反向电压 : 5 V Pd-功率耗散: 250 mW 最小工作温度: - 25 C 最大工作温度: + 85 C 系列: TLP521-1 高度: 3.65 mm 长度: 4.58 mm 宽度: 7.62 mm 商标: Toshiba 集电极—射极击穿电压: 55 V 安装风格: Through Hole 电流传递比: 100 % to 600 % 下降时间: 2 us
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