TPD1E10B09DPYR TI ESD抑制器

你好，欢迎您咨询订购！	联系电话☎：0755-88601081

首页 > SITI点晶|Macroblock聚积 > TPD1E10B09DPYR

公司联系方式
销售电话	0755-88601081
手机热线	13480836474
传真	0755-88601081
联系QQ	(592755649)
淘宝联系
联系QQ	(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

	型号 WRB1209S-3WR2
	型号 WRB1205S-3WR2
	型号 WRB1212S-3WR2
	型号 ACS712ELCTR-20A-T
	型号 ACS712ELC-20A
	型号 LD20-23B03R2
	型号 WRB4815S-1WR2
	型号 WRB4812S-1WR2

产品型号	TPD1E10B09DPYR
品牌	TI
封装	X2SON-2(0402)
价格	电询
描述	ESD抑制器
查看资料	TPD1E10B09DPYR
购买TPD1E10B09DPYR

产品说明

制造商: Texas Instruments
产品种类: ESD 抑制器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Texas Instruments
Vesd - 静电放电电压触点: 20 kV
Vesd - 静电放电电压气隙: 20 kV
极性: Bidirectional
通道数量: 1 Channel
击穿电压: 9.5 V
钳位电压: 17 V
Cd - 二极管电容 : 10 pF
封装 / 箱体: X2SON-2
Pd-功率耗散: 90 W
Ipp - 峰值脉冲电流: 5 A
最大工作温度: + 125 C
最小工作温度: - 40 C
封装: Reel
系列: TPD1E10B09
工厂包装数量: 10000
端接类型: SMD/SMT
工作电压: 9 V

类似TPD1E10B09DPYR产品

下一页尾页页码：1/10
产品型号	厂商	封装	简要描述	图片	资料	订购
TPS7333QDR	TI	SOP-8	集成电路开关芯片

SGTP50V65UFCR3P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋SiC SBD

SGTP75V120FDB2PW	Silan	TO-247P-3L	IGBT＋Diode

SGTP75V120FDB2PW4	Silan	TO-247P-4L	IGBT＋Diode

SGTP50T120FDB4PWA	Silan	TO-247PN-3L	IGBT＋Diode

SGTP75V65FDB1P4B	Silan	TO-247B-4L	IGBT＋Diode

SGTP75V65FDB1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP75V65SDB1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP75V65SDS1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V65FD2PU	Silan	TO-247N-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V65FDB1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V65SDB1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V65UF1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT

SGTP40V65FDR1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP40V65SDB1P7	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V60FD2PF	Silan	TO-3PF	IGBT＋Diode

SGTP50V60FD2PU	Silan	TO-247-3L	IGBT＋Diode

SGTP50V60SD2PF	Silan	TO-3PE	IGBT＋Diode

SGTP40V60FD2PU	Silan	TO-247N-3L	IGBT＋Diode

SGTP40V60SD2PF	Silan	TO-3PF	IGBT＋Diode

元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

关于我们 - 产品目录 - 产品资料 - 联络方式 - 工作机会 - 友情链接 - 法律声明

电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@icdemi.com，

最新更新 LASTER PRODUCTS

产品说明

类似TPD1E10B09DPYR产品

最新更新
LASTER PRODUCTS