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WGD2N60S
产品型号WGD2N60S
品牌WG
封装TO-252
价格电询
描述TO252贴片2A600V N沟道场效应管
查看资料WGD2N60S

产品说明



TO252贴片2A600V N沟道场效应管



WGD2N60D

绝对最大额定值(除非另有说明,否则Ta = 25℃)

符号参数值单位

VDSS漏源电压600 V

ID漏极电流

Tc = 25℃2

一个

Tc = 100℃1.5

VGSS栅源电压±30 V

EAS单脉冲雪崩能量(note1)120 mJ

IAR雪崩电流(注2)2 A

PD功率耗散(TC = 25℃)23 W

Tj结温(最大值)150

储存温度-55〜+ 150℃

TL焊接的最高铅温度

目的,距离外壳1/8英寸,持续5秒300

热特性

符号参数典型值 最高 单元

RθJC热阻,连接至外壳-4.46

℃/瓦

RθJA热阻,连接至环境-62.5

特征:

□低固有电容。

□出色的开关特性。

□扩大了安全操作区域。

□无与伦比的栅极电荷:Qg = 9nC(典型值)。

□BVDSS = 600V,ID = 2A

□RDS(on):4.8Ω(最大)@ VG = 10V

□经过100%雪崩测试


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