你好，欢迎您咨询订购！
联系电话☎：
0755-88601081
热门搜索:
ME6210A50PG
|
2N5551
|
HT7533-1 TO92
|
W78E052DDG
|
W78E052DDG
|
HS0038BD
|
产品分类
热门销售元器件
集成电路IC芯片
二极管系列
三极管系列
场效应管MOSFET
可控硅系列
电压转换|电源管理|电池管理
单片机|Flash|存储器|MCU
LCD液晶驱动|LED驱动|VFD控制器
电机驱动|马达驱动|以太网芯片
霍尔磁性元件系列
电阻器系列
厚膜电路系列
保险丝熔断器|温控开关
高低频射频管
模块|电力半导体系列
电感|磁环|变压器
传感器系列
继电器|干簧管
电容器系列
光电开关|光电类元件
晶振|声表系列
IC转换座|接插件系列
LED发光二极管|数码管系列
三端稳压器|线性稳压芯片
整流桥堆系列
菲涅尔透镜
光电耦合器
CATV放大模块
IGBT管系列
电位器系列
放电管系列
首 页
资料中心
产品中心
购买产品
BOM配单
产品推广
公司简介
联系我们
下一页
尾页
页码：1/10
产品型号
厂商
封装
简要描述
图片
资料
订购
RA30H4452M1
Mitsubishi
H2S
射频放大模块
RA30H4452M
MITSUBISHI
H2S
高频射频功率放大模块
RD35HUF2
Mitsubishi
Cermic
射频场效应三极管
ATF-21186
AGILENT
SMD-5
单片微波集成电路
RA60H4047M1
MITSUBISHI
H2M
三菱高输出功率Si MOSFET高频功率模块
RD07MUS2B
MITSUBISHI
SLP
三菱900MHz射频三极管
RD02MUS1B
Mitsubishi
SLP
射频场效应三极管
RD01MUS2
MITSUBISHI
SOT-89
三菱射频场效应三极管Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W
RD01MUS2
MITSUBISHI
SOT-89
三菱原装520MHz,1W射频场效应三极管
CLRC66301HN
NXP
HVQFN32(SOT617-1)
非接触式IC卡读写芯片
2SC2510
TOSHIBA
TO-59
高频发射管
BLT1405-FCB
BAILITENG
SOT-323
超高频低噪声晶体管
RDA5815S
RDA
QFN24(4×4mm)
机顶盒信号模块芯片
HFBR-4503Z/HFBR-4513Z
AVAGO
DIP
光纤线连接头
HFBR-4503Z
AVAGO
DIP
光纤头
HFBR-4513Z
AVAGO
DIP
光纤头
RD06HVF1
MITSUBISHI
T0-220S
射频场效应三极管
RD06HVF1
MITSUBISHI
T0-220S
射频场效应三极管
TDA8024T
NXP
SOP28
机顶盒与智能卡通信IC
FS8170-LF
HIMARK
TSSOP16
无线通迅芯片
元件索引:
A
-
B
-
C
-
D
-
E
-
F
-
G
-
H
-
I
-
J
-
K
-
L
-
M
-
N
-
O
-
P
-
Q
-
R
-
S
-
T
-
U
-
V
-
W
-
X
-
Y
-
Z
关于我们
-
产品目录
-
产品资料
-
联络方式
-
工作机会
-
友情链接
-
法律声明
深圳市通络科技电子有限公司 版权所有◎Copyright 2020
地址：广东省深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦B座7B07室
电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@icdemi.com，
粤ICP备17146756号-1
粤公网安备 44030402002388号
粤公网安备 44030402002388号