你好，欢迎您咨询订购！ 联系电话☎：0755-88601081
首页
热门搜索:ACS712ELC-30A| ACS712ELCTR-30A| LM358DR| HT1381A SOP-8| JW1602|
产品分类
 下一页 尾页 页码：1/10
产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
RA30H4452M1MitsubishiH2S射频放大模块RA30H4452M1
RA30H4452MMITSUBISHIH2S高频射频功率放大模块RA30H4452M
RD35HUF2MitsubishiCermic射频场效应三极管RD35HUF2
ATF-21186AGILENTSMD-5单片微波集成电路ATF-21186
RA60H4047M1MITSUBISHIH2M三菱高输出功率Si MOSFET高频功率模块RA60H4047M1
RD07MUS2BMITSUBISHISLP三菱900MHz射频三极管RD07MUS2B
RD02MUS1BMitsubishiSLP射频场效应三极管RD02MUS1B
RD01MUS2MITSUBISHISOT-89三菱射频场效应三极管Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1WRD01MUS2
RD01MUS2MITSUBISHISOT-89三菱原装520MHz,1W射频场效应三极管RD01MUS2
CLRC66301HNNXPHVQFN32(SOT617-1)非接触式IC卡读写芯片CLRC66301HN
2SC2510TOSHIBATO-59高频发射管2SC2510
BLT1405-FCB BAILITENGSOT-323超高频低噪声晶体管BLT1405-FCB
RDA5815SRDAQFN24(4×4mm)机顶盒信号模块芯片RDA5815S
HFBR-4503Z/HFBR-4513ZAVAGODIP光纤线连接头HFBR-4503Z/HFBR-4513Z
HFBR-4503ZAVAGODIP光纤头HFBR-4503Z
HFBR-4513ZAVAGODIP光纤头HFBR-4513Z
RD06HVF1MITSUBISHIT0-220S射频场效应三极管RD06HVF1
RD06HVF1MITSUBISHIT0-220S射频场效应三极管RD06HVF1
TDA8024TNXPSOP28机顶盒与智能卡通信ICTDA8024T
FS8170-LFHIMARKTSSOP16无线通迅芯片FS8170-LF
元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z
关于我们 - 产品目录 - 产品资料 - 联络方式 - 工作机会 - 友情链接 - 法律声明

深圳市通络科技电子有限公司 版权所有◎Copyright 2011
地址：广东省深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦B座7B07室

电话TEL(传真FAX)：0755-88601081，邮件Email：icdemi@icdemi.com，

账号:2297307573 账号:592755649

 粤ICP备17146756号 

粤公网安备 44030402002388号