描述：
该N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS（on）和低栅极电荷。 它可用于各种应用。

特征：
1）VDS = 30V，ID = 100A，RDS（ON）<8.5mΩ@VGS=10V
2）低栅极电荷。
3）绿色设备可用。
4）用于超RDS（ON）的先进高细胞密度沟槽技术。
5）优良的封装，散热好。