制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 80 A
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 100 ns
系列: N-channel STripFET
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.438 g