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 | 型号 JW5357MSOTB#TR |  | 型号 JW5057STSOTB#TRPBF |  | 型号 NSR0340HT1G |  | 型号 MPM3830GQV-Z |  | 型号 MT41K256M16TW-107 IT:P |  | 型号 AM26C32IDR |  | 型号 MMF300D170B2B |  | 型号 RUH120N90M |
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| 产品型号 | WGD30P03 | | 品牌 | WG | | 封装 | TO-252 | | 价格 | 电询 | | 描述 | 30A 30V P沟道场效应管MOSFET | | 查看资料 | WGD30P03 | |
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产品说明
30V P沟道MOSFET
特点:
□ 低固有电容。
□ 出色的开关特性。
□ 扩展的安全操作区域。
□ 无与伦比的栅极电荷:Qg=41nC(典型值)。
□ BVDSS=-30V,ID=-30A
□ RDS(开):17米Ω VG=-10V时的(最大值)
□ 100%雪崩测试
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