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 | 型号 JW5357MSOTB#TR |  | 型号 JW5057STSOTB#TRPBF |  | 型号 NSR0340HT1G |  | 型号 MPM3830GQV-Z |  | 型号 MT41K256M16TW-107 IT:P |  | 型号 AM26C32IDR |  | 型号 MMF300D170B2B |  | 型号 RUH120N90M |
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| 产品型号 | IXTQ96N20P | | 品牌 | IXYS | | 封装 | TO-3P | | 价格 | 电询 | | 描述 | 高速大功率N沟道场效应管96A200V | | 查看资料 | IXTQ96N20P | |
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产品说明
制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 Id-连续漏极电流: 96 A Vds-漏源极击穿电压: 200 V Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 600 W 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 封装: Tube 商标: IXYS 通道模式: Enhancement 配置: Single 下降时间: 30 ns 最小工作温度: - 55 C 上升时间: 30 ns 系列: IXTQ96N20 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 75 ns 单位重量: 5.500 g
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