1N60-TO92 WG N沟道场效应管1A600V

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1N60-TO92

产品型号	1N60-TO92
品牌	WG
封装	TO-92
价格	电询
描述	N沟道场效应管1A600V
查看资料	1N60-TO92
购买1N60-TO92

产品说明

一般说明
该功率MOSFET是产品平面条纹，DMOS技术。这项最新技术已经实现特别设计用于最小化通态电阻，具有很高的特性崎岖的雪崩特征。这些设备非常适合用于高效开关模式电源，有功功率因数校正，基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

特征
RDS（on）（最大12.0Ω）@ VGS = 10V
栅极电荷（典型值4.5nC）
提高dv / dt能力，高耐用性
100％雪崩测试
最高结温范围（150°C）

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