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型号
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2SK3483-Z-E1-AZ
产品型号2SK3483-Z-E1-AZ
品牌Renesas
封装TO-252
价格电询
描述N沟道MOS场效应晶体管
查看资料2SK3483-Z-E1-AZ

产品说明


描述
2SK3483是N沟道MOS场效应晶体管专为高电流开关应用而设计。
特征
低导通电阻
RDS(on)1 =52mΩMAX。 (VGS = 10 V,ID = 14 A)
RDS(on)2 =59mΩMAX。 (VGS = 4.5 V,ID = 14 A)
低Ciss:Ciss = 2300 pF TYP。
内置栅极保护二极管
TO-251 / TO-252封装
绝对最大额定值(TA = 25°C)
漏极到源电压(VGS = 0V)VDSS 100 V.
栅极到源极电压(VDS = 0V)VGSS±20 V.
漏极电流(DC)ID(DC)±28 A.
漏极电流(脉冲)注1 ID(脉冲)±60 A.
总功耗(TC = 25°C)PT 40 W.
总功耗(TA = 25°C)PT 1.0 W
通道温度Tch 150°C
储存温度Tstg -55至+ 150°C
单雪崩电流注2 IAS 25 A
单雪崩能量Note2 EAS 62.5 mJ
注1.PW≤10μs,占空比≤1%
2.开始Tch = 25°C,RG =25Ω,VGS = 20→0 V.

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产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
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