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FQA10N80C
产品型号FQA10N80C
品牌ON/Fairchild
封装TO-3P
价格电询
描述N沟道场效应管10A800V
查看资料FQA10N80C

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3PN-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 240 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
高度: 20.1 mm
长度: 16.2 mm
系列: FQA10N80C_F109
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 130 ns
工厂包装数量: 450

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