你好,欢迎您咨询订购! 联系电话☎:0755-88601081
首页
产品分类
公司联系方式
销售电话0755-88601081
手机热线13480836474
传真0755-88601081
联系QQ(592755649)
淘宝联系icdemi
联系QQ(2297307573)

最新更新
LASTER PRODUCTS

型号
GD32F103RCT6
型号
GD32F103RBT6
型号
P4SMA6.8CA_R1_00001
型号
GS3140
型号
L7812CV-DG
型号
L7812CV
型号
L7812CV厚片
型号
TLP2168(TP,F)
 
FQA11N90C
产品型号FQA11N90C
品牌ON
封装TO-3P
价格电询
描述N沟道场效应管
查看资料FQA11N90C

产品说明


FQA11N90C参数:900V,1100mO,11A,300W
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: 11 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 85 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 130 ns
系列: FQA11N90
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 130 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 6.401 g

类似FQA11N90C产品

 下一页 尾页 页码:1/10
产品型号厂商封装简要描述图片资料订购
FQA90N15ON/FairchildTO-3PN沟道场效应管90A150VFQA90N15
FQP8N80CON/FAIRCHILDTO-220N沟道场效应管8A800VFQP8N80C
FQPF8N80CFAIRCHILDTO-220F8A800V N沟道场效应管FQPF8N80C
FQPF8N60CON/FairchildTO-220FN沟道MOS场效应管8A600VFQPF8N60C
FQPF8N60CON/FairchildTO-220FN沟道场效应管600V8AFQPF8N60C
FQA11N90CONTO-3PN沟道场效应管FQA11N90C
FQD20N06FairchildTO-252N沟道场效应管20A60VFQD20N06FQD20N06
FQPF7N80CON/FAIRCHILDTO-220FN沟道效应管7A800VFQPF7N80C
FQPF7N80CONTO-220FN沟道效应管800V,1900mO,6.6A,56WFQPF7N80C
FQPF6N90CFAIRCHILDTO-220F场效应管FQPF6N90C
FQP6N90CFAIRCHILDTO-220N沟道场效应管FQP6N90C
FQPF6N90CFAIRCHILDTO-220F场效应管FQPF6N90C
FQPF33N10FairchildTO-220FN沟道场效应管100V 18A 52mΩFQPF33N10
FQA10N80CON/FairchildTO-3PN沟道场效应管10A800VFQA10N80C
FQPF12N60CFAIRCHILDTO-220F12A600V场效应管FQPF12N60C
FQA9N90CFAIRCHILDTO-3PN沟道场效应管FQA9N90C
FQA9N90CFairchildTO-3PN沟道场效应管FQA9N90C
FQA9N90CFairchildTO-3PN沟道场效应管FQA9N90C
FQA9N90CFairchildTO-3PN沟道场效应管FQA9N90C
FQPF12N60CFairchildTO-220FN沟道型场效应管12A600VFQPF12N60C
元件索引: A - B - C - D - E - F - G - H - I - J - K - L - M - N - O - P - Q - R - S - T - U - V - W - X - Y - Z

深圳市通络科技电子有限公司 版权所有◎Copyright 2020
地址:广东省深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦B座7B09室

电话TEL(传真FAX):0755-88601081,邮件Email:icdemi@icdemi.com,

 粤ICP备17146756号粤公网安备 44030402002388号