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产品型号 | FQA9N90C | 品牌 | Fairchild | 封装 | TO-3P | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道场效应管 | 查看资料 | FQA9N90C | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3PN-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 900 V Id-连续漏极电流: 9 A Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C 配置: Single Pd-功率耗散: 280 W 通道模式: Enhancement 封装: Tube 高度: 20.1 mm 长度: 16.2 mm 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 5 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值: 9.2 S 下降时间: 75 ns 上升时间: 120 ns 工厂包装数量: 30 典型关闭延迟时间: 100 ns 典型接通延迟时间: 50 ns 零件号别名: FQA9N90C_NL 单位重量: 5.600 mg
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