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![SVF12N60F](http://www.icdemi.com/CMIS/Center_photos/ecms2//202277132719_2_SVF12N60F_SVF12N60F.jpg) |
产品型号 | SVF12N60F | 品牌 | Silan士兰 | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道12A600V场效应管 | 查看资料 | SVF12N60F | |
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产品说明
SVF12N60F参数:12A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF12N60F/S/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 12A,600V, RDS(on)(典型值)=0.58 VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv/dt 能力 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF12N60F TO-220F-3L SVF12N60F 无铅 料管 SVF12N60S TO-263-2L SVF12N60S 无卤 料管 SVF12N60STR TO-263-2L SVF12N60S 无卤 编带 SVF12N60K TO-262-3L SVF12N60K 无铅 料管
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