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 | 型号 DSEI2x101-12A |  | 型号 DSEI2X101-12A |  | 型号 4N35 |  | 型号 EL4N35 |  | 型号 HA17555 |  | 型号 HA17324A |  | 型号 LM3914N-1 |  | 型号 SVF10N65F |
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产品型号 | FQPF7N80C | 品牌 | ON | 封装 | TO-220F | 价格 | 电询 | 描述 | N沟道效应管800V,1900mO,6.6A,56W | 查看资料 | FQPF7N80C | |
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产品说明
制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220FP-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 6.6 A Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 56 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: QFET 封装: Tube 高度: 16.07 mm 长度: 10.36 mm 系列: FQPF7N80C 晶体管类型: 1 N-Channel 类型: MOSFET 宽度: 4.9 mm 商标: ON Semiconductor / Fairchild 正向跨导 - 最小值: 5.5 S 下降时间: 60 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 100 ns 工厂包装数量: 1000
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