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FQPF7N80C
产品型号FQPF7N80C
品牌ON
封装TO-220F
价格电询
描述N沟道效应管800V,1900mO,6.6A,56W
查看资料FQPF7N80C

产品说明


制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
高度: 16.07 mm
长度: 10.36 mm
系列: FQPF7N80C
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 4.9 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值: 5.5 S
下降时间: 60 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 100 ns
工厂包装数量: 1000

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