GU80N75参数：80A,75V，N沟道场效应管MOSFETS
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 85 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 100 ns
系列: N-channel STripFET
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 1.438 g