IKW25T120T2参数：25A,1200V
Infineon IKW25N120T2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
最大连续集电极电流 50 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 349 W
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
晶体管配置 单
长度 16.13mm
宽度 5.21mm
高度 21.1mm
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm
最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +175 °C
额定能量 4.3mJ
栅极电容 1600pF